La memoria NAND 3D ha sido muy útil para reducir el precio del almacenamiento flash, aunque la actual escasez mantenga muy altos su precio, que serían mucho mayores sin esas memorias NAND 3D. Están compuestas por decenas de capas apiladas de memoria, y hasta ahora existían de tipo SLC, MLC y TLC —podéis leer este artículo para saber más—, que almacenan un bit, dos o tres por celda.
Toshiba ahora ha puesto sobre la mesa la tecnología QLC de nivel cuádruple que permite guardar cuatro bits por celda. El nuevo chip tiene una capacidad de 768 Gb frente a los 512 Gb que permiten las NAND 3D de tipo TLC actuales. Puesto que estas memorias son a su vez apiladas y encapsuladas en un único chip de memoria, se puede crear almacenamiento de 1.5 TB en un único chip apilando 16 pastillas de esta memoria NAND 3D.
El problema principal de estas tecnologías es que el desgaste de la programación-borrado de estos chips tiende a afectar a la capacidad de detectar la información guardada en una celda. Con cuatro bits por celda, o la posibilidad de guardar 16 posibles valores diferentes en ella en forma de 16 rangos de voltajes —y eso significa rangos de voltaje bastante más pequeños—, pueden conformar SSD de menor durabilidad que un TLC.
Afortunadamente en los últimos meses se han presentado memorias TLC de alta durabilidad, similares a las MLC de años anteriores, por lo que podría no representar un problema real. Toshiba no ha aclarado gran cosa sobre este aspecto de la nueva memoria QLC, pero dará más explicaciones sobre ella en el Flash Memory Summit 2017 que tendrá lugar del 7 al 10 de agosto en Santa Clara (California).
Vía: TechPowerUp.