Toshiba ha anunciado la creación de una nueva línea de chips de almacenamiento ultrarrápido UFS 2.1 que han sido creados con un nuevo proceso de fabricación. Está basado en el sistema BiCS de memoria flash NAND 3D de 64 capas de la compañía, y estarán disponibles en capacidades de 32, 64, 128 y 256 GB, orientados a dispositivos de gama alta como teléfonos y tabletas, pero también de realidad aumentada y virtual.
Tienen un empaquetado de 11.5 × 13 mm e integran un controlador con capacidad de corrección de errores, homogeneización de desgaste, traducción de direcciones lógicas a físicas y gestión de bloques defectuosos con la intención de simplificar el desarrollo de sistemas. Respeta la versión UFS 2.1 de la JEDEC, la organización que genera los estándares de los chips de memoria.
La velocidad máxima de estos chips de memoria es de 900 MB/s de lectura secuencial y 180 MB/s de escritura secuencial en su modelo de 64 GB, y también duplica la velocidad de lectura y escritura aleatoria con respecto a la anterior generación de chips UFS de Toshiba, permitiendo la lectura y escritura simultánea de ellos. La velocidad máxima teórica de esta especificación UFS 2.1 es de 5.8 Gb/s por pista, y estos chips usan dos pistas UFS 2.1 para un máximo teórico de 11.6 Gb/s o 1.4 GB/s.
Vía: TechPowerUp.