Samsung tiene un itinerario más ambicioso en el apartado litográfico que TSMC pero eso puede jugar en su contra. Aunque la compañía espera tener listo el proceso de 3 nm para 2021, al menos según la última información del año pasado, ahora llegan rumores de que habría retrasado la producción en masa hasta 2024. Lo cual es bastante difícil de digerir, porque sería un aplazamiento de tres años. Incluso contando que se decía que había retrasado la producción a 2022 debido a la coyuntura sanitaria, serían dos años de retraso.
El proceso de 3 nm de Samsung usará una estructura distinta para los transistores denominada de efecto de campo de puerta amplia (GAAFET). Es una estructura que apila nanotubos que hacen de canal de los transistores, si bien en el proceso de Samsung son nanoplanchas y se llaman MBCFET. El proceso de TSMC de 3 nm mantiene el uso de los FinFET, por lo que no parece que esta empresa tenga retrasos en su lanzamiento.
Hay algunos detalles que son un hecho y que apuntan a que Samsung ha bajado sus expectativas respecto a MBCFET. En 2019 lo comparaba respecto al proceso de 7 nm y prometía un 45 % de reducción de área, un 30 % de mejora de rendimiento y un 50 % de ahorro de energía. Más recientemente ha cambiado en su web la información de MBCFET frente a los 7 nm a un 25 % menos de área, un 10 % más de rendimiento y un 20 % de reducción de consumo.
El rumor procede de unas supuestas palabras de Chidi Chidambaram, vicepresidente de Qualcomm, sobre cómo va el proceso de producción a 3 nm de Samsung. «Creo que, bueno, será en 2024 o 2023. Lo más pronto sería 2023, pero es razonable pensar que la producción sea en 2024».
Samsung ha introducido modificaciones en su itinerario litográfico, creando un nodo 5 nm LPP (bajo consumo mejorado) en sustitución del de 4 nm LPE (bajo consumo inicial) e incluirá uno de 4 nm LPP. Esos nodos tendrán que competir con el de 3 nm de TSMC, utilizando todos FinFET. En todo caso, el retraso de producción será por la nueva estructura de los transistores, pero aun así se está hablando de un retraso de tres años para la llegada del proceso de 3 nm con MBCFET, lo cual es difícil de digerir.
Fuente: SemiAnalysis. Vía: TechPowerUp.