Las técnicas litográficas de producción de los chips de memoria y los chips lógicos son bastante distintas debido a que se centran en crear componentes distintos. Además, los chips de memoria precisan la máxima fiabilidad de producción, y eso no lo dan los procesos litográficos punteros, por lo que aunque no vaya a sorprender a nadie que Samsung haya anunciado nuevos chips de DDR5 producidos con un proceso de 12 nm, sí se trata de su proceso más avanzado para este tipo de chips con una capacidad de 16 Gb (2 GB).
Samsung asegura que con este proceso litográfico ha conseguido aumentar un 20 % la productividad de la fabricación de obleas, a la vez que le permite reducir el consumo un 23 %. No ha indicado comparándolo con qué. Estos chips tienen una velocidad de 7.2 Gb/s, y todo gracias a un nuevo material de alta constante dieléctrica que ayuda a aumentar la capacitancia de las celdas de memoria, que en las celdas de memoria permite leer con mayor precisión su valor.
La compañía ha indicado que estos chips fueron evaluados para compatibilidad por AMD para su plataforma AM5 el pasado mes de diciembre. Estarán disponibles en módulos de RAM en los próximos meses.
Vía: Videocardz.