Samsung ha anunciado la serie 990 EVO de unidades de estado sólido (SSD) que se venderá en el formato M.2 2280. Tiene la particularidad de ser la primera con una interfaz híbrida, ya que puede negociar con el BIOS el funcionamiento a PCIe 4.0 ×4 o a PCIe 5.0 ×2, que arrojan el mismo ancho de banda máximo de 8 GB/s. Eso sí, es una unidad de bajo rendimiento, sin DRAM para búfer, aunque implementa HMB (búfer en la memoria principal).

Integra un controlador propietario de Samsung, mientras que los chips de V-NAND, la NAND 3D de Samsung, serían de tipo TLC de 133 capas —está pendiente de confirmación—. Tiene cifrado por hardware de tipo AES-256 compatible con TCG/Opal 2.0. Su consumo máximo es de 5 W.

Estas unidades alcanzan una velocidad máxima de lectura/escritura secuencial de 5000/4200 MB/s, así como una de lectura/escritura aleatoria (archivos de tamaño 4 kB) de 680/800 kIOPS. Alcanza una durabilidad de 1200 TB escritos, y se acompaña de cinco años de garantía.

El precio del modelo de 1 TB es de 125 dólares (12 cts./GB), mientras que el de 2 TB cuesta 210 dólares (10 cts./GB).

Serie 990 EVO de Samsung
Característica 990 EVO, 1 TB 990 EVO, 2 TB
Lectura secuencial 5000 MB/s 5000 MB/s
Escritura secuencial 4200 MB/s 4200 MB/s
Lectura aleatoria 680000 IOPS 700000 IOPS
Escritura aleatoria 800000 IOPS 800000 IOPS
Consumo 5.5 W 5.5 W
Durabilidad 600 TB 1200 TB
PVPR 124.99 $ 209.99 $
PVP