Samsung es la empresa que más invierte en I+D+i del mundo, y por amplia diferencia. Ingresar anualmente más de 200.000 millones de dólares procedentes de una gran cantidad de sectores en los que tiene presencia hace que inevitablemente tenga que investigar para mejorar (o morir). El de las memorias RAM, siendo un suministrador de Apple, también recibe atención en sus centros de investigación.
La memoria RAM 3D de Samsung comenzó su andadura comercial recientemente con el SSD 850 Pro para evitar un problema en la disminución del tamaño de fabricación por debajo de los 24 nanómetros. Siendo costoso y además con problemas relacionados con el paso de la corriente eléctrica, la idea de Samsung (bueno, no solamente de los coreanos) es estupenda: usar memoria de "peor" tecnología pero a varios niveles, o dicho de otro modo, apilarla en vertical. Algo que también va a hacer Nvidia en sus tarjetas gráficas 'Pascal' en un par de años.
Ahora esa tecnología llega a la memoria RAM de tipo DDR4, que será compatible con los procesadores Haswell-E que están al caer y los Broadwell. El objetivo es empaquetar la mayor cantidad posible de memoria en el menor espacio para crear módulos de alta capacidad a bajo coste. Negocio redondo para Samsung y para empresas que necesitan una buena relación energética y de alta densidad de memoria en los servidores para mantener el máximo de información en memoria para mejorar el rendimiento de los equipos.
Esta memoria 3D se denomina V-NAND, y utiliza la tecnología TSV para comunicar los diferentes niveles de memoria superpuestos en vertical. Aunque se lleva algunos años utilizando este tipo de empaquetado, Samsung ha terminado de desarrollar las fábricas capaces de fabricar la memoria con este empaquetado TSV. Este empaquetado permite el doble de rendimiento que el empaquetado normal, con un consumo de la mitad.
Vía: PC World.