Qualcomm introdujo el Snapdragon 835 hace unas semanas, y apuntó al CES como el momento en el que daría todos los detalles de su SoC —sistema en un chip— que estará presente en todos los teléfonos insignia de la primera mitad de año. Cumpliendo su palabra, Qualcomm ha dado todos los detalles del procesador, empezando por su componente de CPU llamada Kryo 280.

En esta ocasión pasa de cuatro a ocho núcleos, por lo que ha optado por añadir más núcleos para ganar más potencia, lo cual es una pequeña decepción de vista a batir al A10 Fusion de Apple, que con dos núcleos tiene más potencia que el Snapdragon 820. Utiliza unas frecuencias de 2.45 GHz el clúster principal y 1.9 GHz el secundario.

El resultado neto es una mejora del 20 % con respecto al Snapdragon 820, aunque estará el 80 % del tiempo funcionando las tareas en el clúster de eficiencia, lo que reducirá el consumo notablemente ya que estará fabricado con el proceso a 10 nm LPE de Samsung —low power early, primera versión en llegar al mercado—.

La GPU es una Adreno 540, similar al Adreno 530, con una mejora del 25 % en la generación de gráficos 3D, procesando 16 téxeles por ciclo de reloj, similar a la GPU Mali-G71 MP16 de ARM. Es compatible con OpenGL 3.2, Vulkan y DirectX 12. Este SoC es un candidato a usarse en equipos que utilicen la versión completa de Windows 10 para dispositivos con procesadores ARM. Lo más importante es que este chip es compatible con realidad virtual, e incluye sensores y firmware para mejorar el seguimiento de gestos, y reduce la latencia en la puesta en pantalla de un fotograma de 18 ms a 15 ms.

El procesador digital señal (DSP) está actualizado al Hexagon 682, pero Qualcomm no ha indicado las mejoras que contiene, más allá de la inclusión de un par de núcleos adicionales. El procesador de imagen (ISP) pasa a ser un Spectra 180, usado para las cámaras de los dispositivos, y puede manejar cámaras de hasta 32 Mpx o una cámara doble de 16 Mpx cada una.

En el apartado del consumo, se ha reducido un 25 % respecto al Snapdragon 820, e incluye el sistema de carga rápida Quick Charge 4.0 que reduce el tiempo de recarga un 20 % con una eficiencia un 30 % mayor. El módem LTE pasa a ser un Snapdragon X16 capaz de usar una modulación 256 QAM con tres canales de 20 MHz, con una velocidad de descarga de 1 Gbps y subida de 150 Mbps. También dispone de wifi 2x2 802.11 ac MU-MIMO compatible con 802.11 ad, y Bluetooth 4.2.

Vía: Ars Technica, AnandTech.