Siguiendo la estela de Samsung, la también coreana SK Hynix ha anunciado que ya tiene listo un paquete de 8 GB de memoria LPDDR4X. La fabricación de este tipo de chips es fundamental ya que la memoria en teléfonos suele ir sobre el procesador creando un único paquete, o por debajo de él, para ahorrar espacio, consumo y acelerar la comunicación entre procesador y memoria.
Este chip funciona con un voltaje de 0.6 V en vez de los 1.1 V de la memoria LPDDR4, por lo que se ha ganado notablemente en eficiencia energética. El tamaño del chip es de 12 x 12.7 x 1 mm, un 30 % inferior al que se conseguiría con 8 GB de memoria LPDDR4, o en torno a un 20 % menos que el chip de 8 GB fabricado a 10 nm por Samsung.
Tiene una velocidad igual a la de Samsung, de 4266 MT/s con un bus de 64 bits, por lo que la velocidad total es de 34.1 GB/s, similar a la memoria DDR4-2133 de los PC. SK Hynix, como segundo mayor productos de chips de memoria del mundo, solo por detrás de Samsung, ha indicado que la demanda será ante todo para los teléfonos insignia de 2017. Por características podría incluso terminar en el Galaxy S8 de Samsung. También podrá ser utilizado por tabletas con la versión completa de Windows 10 para chips ARM como los Snapdragon 820 a 835.
Vía: Ubergizmo.
