Los fabricantes de memoria NAND, que conforma el núcleo del almacenamiento SSD, llevan más de seis meses intentando atajar la escasez de memoria que está afectando negativamente a su precio. La construcción de nuevas fábricas lleva tiempo, y en el caso de Samsung la mejor forma de afrontar esta escasez es mejorando la tecnología subyacente.
En este caso se trata de la memoria V-NAND, de la que actualmente las compañías están produciéndola en chips de 64 capas, y en el caso de Samsung está aumentando la de 256 Gb —32 GB— de capacidad. Estima que a final de año cubrirá el 50 % de la producción total de la compañía, y tiene algunas ventajas relacionadas.
Al usar más capas para crear los chips de 256 Gb se ahorra espacio en las obleas, con lo que estiman que hay un aumento de la producción del 30 % en total con respecto a los chips V-NAND de 48 capas. También esta cuarta generación de chips V-NAND tienen un tiempo de programación cuatro veces más rápido, y funciona a 2.5 V en vez de a 3.3 V, por lo que proporciona un ahorro de consumo.
Además, cada chip dispone de una velocidad de 1 Gbps, que es de los más rápido del mercado. Eso son 128 MB/s por chip, pero los SSD confían en el paralelismo de lectura/escritura de varios chips a la vez gestionada por el controlador del SSD, y cada uno incluye varios de estos chips V-NAND de 32 GB de capacidad.
Por último, Samsung ha indicado que ha asentado las bases para una futura generación de chips V-NAND de 90 capas y 1 Gb de capacidad.
Vía: Samsung.