Samsung mantiene su avance imparable en el terreno de los semiconductores al anunciar dos nuevos procesos de fabricación para sus fundiciones. Todas las compañías están haciendo la transición al proceso de fabricación basado en la litografía ultravioleta extrema (UVE) que sine lla es difícil que se puedan crear chips con transistores de 7 nm o menos. Actualmente se usan patrones múltiples para crear los chips entre 10 y 14 nm.
El primero de los dos nuevos procesos de fabricación es a 11 nm FinFET LPP (low power plus), y está ya disponible a los clientes de la compañía. Gracias a la reducción del tamaño de los transistores, se obtiene un 15 % más de rendimiento en los chips y un 10 % menos de superficie ocupada. Está orientado a aportar más diferenciación a los equipos de gama media y alta.
Por otro lado Samsung ha indicado que su proceso de 7 nm LPP que utiliza litografía UVE sigue su curso de desarrollo y estará disponible en la segunda mitad de 2018. En la hoja de ruta de la compañía también se incluye un proceso de 8 nm, y ha indicado que con su proceso de UVE ya ha creado 200 000 obleas con un rendimiento de producción del 80 %, sobre todo con sus chips SRAM de 256 Mb.
Vía: TechPowerUp.
