SK Hynix es una de las cuatro grandes productoras de memoria NAND, y en un sector tan competitivo hay que estar innovando continuamente. La NAND 3D fue introducida por Samsung hace unos años con el nombre de V-NAND, y después de ello llegaron las de otras compañías. Con respecto a la NAND tradicional, aumentaba el número de capas apiladas de memoria de menos de una decena a una treintena —ahora llegan a 96—, aumentando la densidad de información por chip y abaratando los costes de producción por giga.

La terminología «3D» en este caso siempre me ha hecho gracia porque se refiere a tener una tercera dimensión, la altura, como si los chips normales NAND no tuvieran grosor. SK Hynix ha anunciado el desarrollo de la NAND 4D, pero eso no significa que tenga que ver con el tiempo, la cuarta dimensión en física. Con lo cual no tiene mucho sentido llamarla «NAND 4D», pero bueno. A lo que se refiere es a la recolocación de los circuitos periféricos —abreviado peri. muchas veces en las transparencias— de cada celda debajo de la misma.

A este sistema lo llaman de manera muy original «circuitos periféricos bajo celda» o PUC —peripheral circuits under cell, o peri. under cell para abreviar—. Nada tiene que ver por tanto con la cuarta dimensión, sino con un movimiento de simplificación de la planta del chip para ahorrar espacio en la oblea de producción. Se consiguen chips NAND 4D más pequeños, si bien requiere de más pasos de producción, aunque en última instancia los costes de producción total son menores al aumentar la cantidad de gigas de capacidad producidos por oblea de 300 mm. SK Hynix también habla de un 25-30 % más de rendimiento de lectura-escritura y un 150 % más de ancho de banda por vatio de consumo, con una reducción del 30 % de los chips y un 20 % más de rendimiento de producción de las obleas.

La primera versión de esta NAND 4D tendrá celdas de 96 capas, con una velocidad de E/S de 1.2 Gb/s por pin, en un empaquetado que será de 16 mm × 20 mm de tipo BGA (para soldar), y un máximo de 2 TB por paquete, los cuales incluyen siempre varias pastillas —el chip recortado de la oblea— de NAND apilados uno encima del otro, que en este caso es de 512 Gb (64 GB) con celdas tipo TLC, siendo 32 en total por paquete. Por tanto, en una SSD de tipo U.2 —discos de 2.5 pulgadas con interfaz PCIe 3.0 ×4— permitiría treintaidós de estos chips para una capacidad máxima de 64 TB. Empezarán a enviar muestras a sus socios en la primera mitad de 2019.

Vía: AnandTech.