El estándar definitivo de memoria DDR5 todavía no se ha aprobado pero las compañías de chips de DRAM están ya dando las últimas pinceladas a su diseño y producción. En su posición como mayor productor de semiconductores del mundo, Samsung también la tiene en desarrollo, y sobre todo la versión par móviles LPDDR5. En el Encuentro 4G/5G de Qualcomm en Hong Kong, la compañía coreana ha indicado que la tendrá lista para 2020.
Eso significa que el Galaxy S que presente por aquellas fechas dispondrá de este tipo de memoria, que tendrá un mayor ancho de banda de memoria que la actual LPDDR4, entre los 44 a 51.2 GB/s, con un consumo un 20 % inferior. Puesto que los chips gráficos de los dispositivos móviles hacen uso de la memoria principal del sistema, cualquier mejora en este terreno beneficia indirectamente a los intereses de los que ponen móviles para jugar en el mercado. Pero hasta 2020 no parece que vaya a haber mejoras sustanciales en este terreno.
Samsung también ha indicado que está preparada para poner a la venta los primeros dispositivos con la versión 3.0 del almacenamiento flash universal (UFS) en la primera mitad de 2019. Estará disponible en capacidades de 128 GB, 256 GB y 512 GB. También estaba presente Micron, quien indicó que los dispositivos móviles con 1 TB de almacenamiento interno estarán disponibles en 2021. UFS 3.0 también tendrá el doble de ancho de banda de memoria en el mismo espacio que la memoria UFS 2.1, y una velocidad que lo puede poner más en línea con el rendimiento de las SSD.
Vía: Hot Hardware.
