Dentro de los desarrollos que está realizando SK Hynix relacionados con la capacidad de sus chips de DRAM y NAND, hace unos días anunció unos NAND 3D de 512 Gb y ahora ha anunciado unos nuevos de DRAM. Estos chips está fabricados con un proceso litográfico de 1Y nm, lo que quiere decir que es un proceso que puede ir desde los 14 nm hasta los 16 nm. Son de tipo DDR4, y es un avance teniendo en cuenta que la anterior generación de chips se situaba en los 1X nm, que es de 16 a 19 nm.
Con este cambio, SK Hynix espera conseguir en torno a un 15 % menos de consumo y un 20 % más de rendimiento de producción por oblea, ya que los chips fabricados son 8 Gb (1 GB). La frecuencia de funcionamiento de estos chips está pensada para los 3200 MHz, con mejoras de arquitectura para incrementar la estabilidad de los chips de memoria.
Eso incluye una tecnología denominada control de amplificador sensor que reduce el consumo y los errores de los amplificadores sensores usados en estas memorias —usados para recuperar el dato de una celda de memoria entre otras labores que tienen—. Con esta tecnología SK Hynix promete una menor tasa de errores, ya que esta va aumentando a medida que se va reduciendo la litografía con la que se fabrican los chips de memoria, y por tanto hay que ir introduciendo nuevas tecnologías que reduzcan los errores.
Vía: Guru3D.