SK Hynix anunció en agosto el desarrollo de un nuevo tipo de memoria NAND 3D al que denominó de manera desafortunada como NAND 4D. «NAND 3D» hace referencia a que se usan las tres dimensiones para estos chips en lugar de hacerse eminentemente en los ejes x-y, y «4D» no significa que tenga que ver nada con el tiempo, la cuarta dimensión en física. Tiene que ver con un pequeño pero gran movimiento a la hora de construir las celdas de que se componen los chips de NAND para hacerlos más compactos.
Se trata de situar los circuitos periféricos de control de cada celda debajo de la misma en lugar de en su adyacencia, lo que permite reducir el tamaño del chip en un 30 %. Esto lo explicó la compañía en el momento de la presentación de la tecnología —por si queréis saber más sobre ella—, y ahora la ha aplicado para poner en el mercado unos chips NAND 4D de 96 capas y 512 Gb (64 GB) de capacida. Estos chips mejoran la capacidad total producida por oblea de 300 mm en un 49 % respecto a los chips NAND 3D de 72 capas y 512 Gb.
Pero estos chips NAND 4D también tienen mejoras de velocidad de lectura y escritura, que mejoran un 25 % y 30 % respectivamente, con el doble de ancho de banda, con una velocidad de 1.2 Gb/s (unos 150 MB/s) por pin en un empaquetado BGA —matriz de rejilla de bolas; para soldar a placa, vamos— de 16 mm × 20 mm y funcionando a 1.2 V.
SK Hynix va a presentar sus propias SSD de 1 TB usando un controlador y firmware propios para ellos para el sector consumo, y en torno al verano de 2019 unas SSD con esta NAND 4D para el sector empresarial. También avanza la llegada de UFS 3.0 en la primera mitad de 2019 —nuevo estándar para el almacenamiento en dispositivos móviles—.
Vía: The Tech Report.
