China busca la independencia tecnología pero en el sector de la producción de chips por el momento está lejos de conseguirlo ya que tiene que recurrir a fundiciones de chips como TSMC o Samsung para tener acceso a los procesos más punteros. Sin embargo, poco a poco está haciendo avances en su plan Hecho en China 2025 con la inversión en empresas como Corporación Internacional de Fabricación de Semiconductores (SMIC) que están dando sus frutos.
Esta empresa subvencionada por el Gobierno chino ha iniciado la producción de prueba de chips a 14 nm con tecnología FinFET, y empezará a realizar la producción real antes de que termine el año. Esto significa que China va ya solo rezagada en torno a cinco o seis años con respecto al resto de fundiciones, quizás algo más, pero ha conseguido desarrollar procesos litográficos a una buena velocidad para no ser expertos en el área.
Para conseguirlo, China está tirando de talonario y contrataciones de alto nivel de empresas de otros países, aunque en algunos casos los gobiernos han detenido alguna contratación puntual como la de directivos de Samsung por considerarlo contrario al interés nacional.
Este proceso de 14 nm está totalmente desarrollado por SMIC sin ayuda externa, por lo que es la base para futuras litografías que permitan acercarle rápido a los 7 nm que ahora mismo es el más avanzado de uso común en el sector de los semiconductores. De hecho, solo cinco fundiciones más son ahora mismo capaces de producir chips con tecnología FinFET —transistor de efecto de campo con aleta, que recibe el nombre por la especie de aleta que deja la creación de los transistores sobre el sustrato—.
SMIC cuenta con cuatro fábricas en China en las que produce obleas de 200 y 300 mm, y otra en Italia para producir chips con procesos asentados de 90 nm a 180 nm. También tiene oficinas de venta en EE. UU., Italia, Hong Kong, Taiwán y Japón. La producción a 14 nm se realizará en una fábrica terminada de construir recientemente y que ha costado 10 000 millones de dólares. El siguiente paso a dar es bajar a los 12 nm, y posteriormente los 10 nm y 7 nm, haciendo uso en este último caso de luz ultravioleta extrema.
Vía: AnandTech.