La memoria de alto ancho de banda (HBM) ha experimentado una revisión por parte del organismo que desarrolla el estándar, la JEDEC. De esta forma ha normalizado la nueva velocidad de 3.2 Gb/s para este tipo de HBM2, dejando atrás la nomenclatura previa que iba a tener como «HBM2E» aunque Samsung parece que la va a conservar por ahora en sus notas de prensa.
La nueva velocidad no afecta a la capacidad de las pastillas, que seguirán siendo de 16 Gb (2 GB) con capacidad para apilar hasta doce en un solo chip de hasta 24 GB con un ancho de banda total de 410 GB/s a un voltaje de 1.2 V. La ventaja de HBM2 frente a la GDDR6 más usada es que esta HBM2 puede combinar el ancho de banda de hasta cuatro chips para obtener hasta 1640 GB/s de ancho de banda total. Y con un solo chip tiene casi tanto ancho de banda que la GDDR6 a 14 GHz, que se sitúa en los 448 GB/s.
Samsung es la primera en anunciar la producción en masa de esta nueva HBM2 a 3.2 GHz para esta primera mitad del año, y lo hace dándole el nombre de Flashbolt. Los chips se podrán subir bajo petición hasta los 4.2 Gb/s y un ancho de banda de 538 GB/s por chip, y cada uno incluye ocho pastillas de 2 GB para una capacidad total de 16 GB. Samsung usa un proceso litográfico de 1y nm para ella —entre 14 nm y 16 nm—.
Vía: AnandTech.
