TSMC habló recientemente de su proceso litográfico de 3 nm, y muchas cejas se levantaron cuando indicó que en él seguiría usando los transistores de efecto de campo de aleta (FinFET). Si la compañía quiere avanzar más allá de ese punto está casi obligada a cambiar el tipo de transistor, y es un paso que Samsung va a dar ya en su proceso litográfico de 3 nm para abrazar los GAAFET (transistor de efecto de campo de puerta completa, gate all-around field-effect transistor), y aparentemente sería el tipo de transistor que TSMC está desarrollando para su proceso litográfico de 2 nm.
La información procede de la no siempre fiable Digitimes, la cual también asegura que TSMC va más rápido en su desarrollo de lo previsto. Este nuevo tipo de transistor cambia la construcción 3D de los FinFET, en la que la fuente y drenador de los transistores forman una aleta en la estructura de la oblea al sobresalir por encima del sustrato, por un diseño en el que la fuente y drenador pasan a ser nanotubos o nanoplanchas (por lo que están completamente rodeados por la puerta) apilados para tener una forma adicional de controlar las fugas de corriente según su tamaño y ahorrar espacio. En la práctica aporta ventajas adicionales de reducción de consumo y espacio ocupado, como es habitual.
Vía: Guru3D.