El almacenamiento UFS 4.0 lleva tiempo en el mercado en dispositivos como los Galaxy S23, pero no está generalizado su uso. Samsung y Kioxia tienen sus chips de este tipo de almacenamiento, y ahora llegan los de Micron para intentar que lleguen a más dispositivos en los próximos meses. Esta nueva UFS 4.0 utiliza los chips de NAND 3D de la compañía de 232 capas TLC y de 128 GB de capacidad.
Alcanzan una velocidad de lectura secuencial de 4300 MB/s y de escritura secuencial de 4000 MB/s, no indicándose la velocidad en lectura y escritura de archivos de tamaño pequeño (4 kB). La interfaz física que usan estos chips es una M-PHY 5.0 de dos canales con una velocidad máxima de 23.2 Gb/s cada uno. En teoría estos chips de almacenamiento deberían alcanzar los 5.8 GB/s como máximo a medida que madure la tecnología.
Micron se la venderá a sus socios fabricantes de dispositivos en capacidades de 256 GB, 512 GB y 1 TB apilando varios de los chips, aunque el conjunto no tendrá un grosor superior a los 0.8-0.9 mm. También cuentan con una mayor eficiencia energética, en torno a un 25 % según la compañía, y reduce un 10 % la latencia de acceso.
Vía: AnandTech.