Samsung ha anunciado hoy que ha comenzado oficialmente la fabricación de los primeros SoC de 10 nm FinFET de primera generación denominada 10 LPE (low power early), según lo anunciado en abril por la compañía. De esta manera Samsung se convierte en la primera compañía que oficialmente se encuentra trabajando en masa con este nuevo proceso de fabricación para procesadores.
En los detalles que ha compartido Samsung, especifica que este nuevo proceso de fabricación usa una estructura tridimensional de transistores que ofrece un 30 % más de aprovechamiento del espacio, un aumento del 27 % en su rendimiento y un descenso del 40 % en el consumo con respecto al proceso de fabricación anterior a 14 nm. Este proceso está disponible para los clientes de Samsung, tanto de otras filiales de la compañía como empresas externas, por lo que se da por hecho que el Exynos del Galaxy S8 estará fabricado a este nivel de integración de 10 nm con LPE.
