Samsung está segura de que va a liderar el mercado de los semiconductores en breve, y puede que así sea. Para demostrarlo, ha establecido una completa y ambiciosa hoja de ruta para los próximos años que le llevará directamente hasta un proceso de fabricación a 4 nm, así como otros métodos relacionados como FD-SOI —silicio sobre aislante totalmente descargado—.
En un encuentro de Samsung Foundry, la unidad de negocio de fundiciones de chips de Samsung, la compañía ha empezado por detallar la tecnología 8 nm low power plus —8LPP—, que será la última antes de dar el paso a la fabricación mediante luz ultravioleta extrema, con ganancias de rendimiento y densidad frente a la 10LPP. Llegará este año. Después de esta, llegará el proceso 7LPP, que será el primero que ya use el proceso litográfico de luz ultravioleta extrema, como base para la producción en masa de chips a esta y menores escalas de integración. Llegará en 2018.
Más allá de aquí, los procesos irán empequeñeciendo poco a poco, pasando por el 6LPP, 5LPP y 4LPP. En el primero, Samsung adoptará una nueva solución de escalado de producción para aprovechamiento de las obleas. En el segundo, abordarán problemas relacionados con la producción de transistores a 4 nm antes de que ocurran. En el último, 4LPP, tendrán que implementar una nueva arquitectura de producción llamada MBCFET o FET con puente multicanal, que utilizará un dispositivo de nanoláminas para superar las limitaciones físicas de esta escala de integración procedentes de la arquitectura FinFET. El proceso 4LPP estará listo en 2020, pero de manera inicial.
Por último, también usarán para los chips para dispositivos del Internet de las cosas la tecnología FD-SOI, expandiendo su tecnología a 28 nm FD-SOI —28FDS— para incluir opciones de radiofrecuencia y eMRAM —memoria de acceso aleatorio magnética empotrada—, antes de pasar al 18FDS, con mejoras de rendimiento, consumo y aprovechamiento de superificie.
Vía: Samsung.
