El mundillo tecnológico es un gran cúmulo de patentes que debes tener cuidado de licenciar para no terminar en los tribunales. Uno de los últimos casos que se han resuelto tiene que ver con Samsung y las tecnologías de creación de chips que utiliza, y en especial con la tecnología para crear los transistores llamados FinFET —transistor de efecto de campo con separación—. Un juez ha condenado a Samsung Electronics a pagar 400 millones de dólares por infringir la patente de KAIST IP, la cual pertenece al Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea del Sur (KAIST).
En este terreno, el juez ha valorado otros aspectos indicados por KAIST, como el hecho de que Intel lleva licenciando el uso de su tecnología FinFET desde 2012, usada en los procesador Ivy Bridge a 22 nm. Por tanto, y de acuerdo con otra serie de pruebas, Samsung infringió intencionadamente la patente, por lo que si bien esta cantidad es preliminar, podría alcanzar los 1200 M$. El primer producto en infringir dicha patente fue el sistema en chip Exynos 7870 fabricado a 14 nm.
El juez también ha encontrado que Qualcomm y GlobalFoundries han infringido las patentes, pero no tendrán que pagar daños y perjuicios al KAIST IP a pesar de que las tres idearon una defensa conjunta y que usa tanto a Samsung como a GlobaFoundries para crear sus chips. KAIST IP está asentada en Frisco (Tejas) a pesar de que la universidad de la que depende sea surcoreana. El siguiente en ser denunciada por infracción de esta patente de tecnología FinFET podría ser TSMC.
Vía: Samsung.
