Los fabricantes de memoria NAND 3D están envueltos en el proceso de actualización de sus sistemas de producción a la memoria QLC que permite almacenar cuatro bits de información por celda. Estos procesos implican un aumento de la capacidad en el mismo tamaño de chip, lo que lleva a reducir costes de producción a mismo rendimiento de producción de la oblea. En este caso, un 33 % más al pasar de tres bits por celda de la TLC a cuatro bits de la QLC.
Samsung no había comentado demasiado sobre sus planes para las SSD con memoria de tipo QLC, y finalmente ha dicho que habrá modelos tanto de consumo como para empresas. Esta memoria tiene una menor durabilidad, situada en torno a los mil ciclos de programación/borrado (PE), mientras que la TLC tiene unas 3000 PE. Además, la memoria QLC requiere de mejores controladores para asegurar una durabilidad mejor, pero Samsung no ha indicado cuánta tendrán sus SSD con esta memoria flash.
La compañía espera que sus SSD con memoria V-NAND —el nombre que usa Samsung para la memoria NAND 3D— de tipo QLC alcance los 2500 MB/s y hasta 160 000 IOPS en los modelos con interfaz PCIe. En el terreno de las SSD con interfaz SATA, tendrán en torno a los 520 MB/s de lectura/escritura secuencial. Estos modelos estarán disponible en capacidad de más de 1 TB, y esta tecnología estará ampliamente disponible en 2020.
Vía: AnandTech.
