SK Hynix sigue el desarrollo de nuevos procesos litográficos para producir sus chips de memoria, y ahora ha anunciado la creación de chips de 16 Gb (2 GB) de DDR4 con uno de sus últimos procesos a 1z nm. Este proceso se sitúa en alguno entre los 12 y 14 nm. Llega unos cuantos meses después de que Micron anunciara los mismos, por lo que la competencia en este sector sigue viva.
Se va a usar para producir módulos de DDR4 en formato DIMM y SO-DIMM, funcionando a una velocidad de hasta 3200 MHz. La reducción de consumo respecto a los chips de 1y nm de 8 Gb de la compañía se sitúa en torno al 40 %, por lo que tendrá sustanciales ventajas para portátiles. También ha aumentado el rendimiento de producción de esta versión a 1z nm en torno al 27 % respecto a la 1y nm.
SK Hynix ha indicado que planea utilizar este proceso de fabricación para la creación de otros chips de memoria, como LPDDR5 para los dispositivos móviles que llegarán previsiblemente a partir del próximo año, así como la HBM3 que sigue viva aunque no se tengan noticias de ella desde hace tiempo pero se postula como la memoria más rápida al duplicar la velocidad de la HBM2.
Vía: Guru3D.
