Finalmente China se ha metido en el sector del diseño y producción propia de chips de memoria a través de su compañía ChangXin, que llevaba unos meses probando la producción inicial de DRAM. Tras el veto de Estados Unidos a Innotron por espionaje industrial, otra empresa que estaba desarrollando su propia tecnología de DRAM, ChangXin se mantiene como la primera empresa que diseña y produce DRAM de China.
La producción inicial de la compañía se centra en torno a 20 000 obleas mensuales, aunque espera duplicar la producción en torno al segundo trimestre de 2020 cuando termine la ampliación de sus fábricas. Con la entrega de los primeros chips de DRAM producidos en masa, China da un paso más para la independencia en el terreno de los semiconductores.
El proceso litográfico es en torno a los 18 nm, y se basa en tecnología de celdas de memoria con condensador apilado, que es una familia de producción de DRAM distinta a la de surcos. Desde cierto punto de vista es peor tecnología porque presenta problemas de espacio para la interconexión de las celdas a la vez que son chips que ocupan más al tener las placas del condensador ocupando más en lugar de introducirse en los surcos hechos en el sustrato de la memoria.
Vía: TechPowerUp.
