Kioxia, el nuevo nombre de Toshiba Memory, ha mostrado sus avances en el terreno de la memoria flash usada en las unidades de estado sólido y son bastante interesantes. El principal es el cambio de la estructura de la celda en la que se almacena la información a un formato semicircular frente al formato circular actual, lo que lo convierte en un almacenamiento flash gemelo. El nombre de este tipo de memoria será Twin BiCS.
Lo que se ve en la siguiente transparencia es el cambio de la película de trampa de carga de ser circular a semicircular, multiplicando por dos la capacidad. Esto viene a solucionar los problemas crecientes relacionados con apilar cada vez más capas de memoria en los chips, siendo lo habitual ahora mismo las cien capas, pero que hay en desarrollo hasta más de ciento cincuenta capas.
El diseño de puerta de control circular proporciona mejoras para evitar las fugas por el efecto túnel del dieléctrico. Este diseño de división semicircular permite una mayor eficiencia en la trampa de carga al usar un dieléctrico de alta constante dieléctrica, obteniendo mejoras en la velocidad de programar la celda, también a la hora de borrarlas, y menos fugas. Esto permite un mejor control de los voltajes, y por eso está pensado para diseñar memoria NAND 3D de cinco bits por celda (PLC) el cual requiere de controles mucho más estrictos de voltajes.
Vía: Guru3D.
