Samsung sigue avanzando en sus planes para almacenamiento de móviles de gama alta y por eso anuncia la producción en masa de chips de tipo eUFS 3.1 (almacenamiento flash universal embebido). Este almacenamiento es ultrarrápido y se suele encapsular con la RAM o soldada al otro lado de la placa donde esté el procesador o muy, muy cerca.
Este tipo de almacenamiento ultrarrápido eUFS 3.1 alcanza los 2100 MB/s de lectura secuencial y en este caso alcanza los 1200 MB/s de escritura secuencial, por lo que se puede usar sin problemas para dispositivos que graben vídeo a 8K. Este estándar es hasta un 60 % más rápido que el eUFS 3.0, también en el apartado de lectura/escritura aleatoria con 100/70 kIOPS, frente a los 63/68 kIOPS de eUFS 3.0.
Este tipo de almacenamiento también estará disponible en capacidades de 128 GB y 256 GB para dispositivos de gama alta que irán llegando al mercado a lo largo del año.
