Kioxia y Western Digital son un tándem en el sector de la memoria flash que acapra el 30 % de la producción mundial en lo referente a capacidad total. Ahora han aprovechado el ISSCC para anunciar que han desarrolla nueva memoria NAND 3D de 162 capas, pero con algunas ventajas adicionales que reducirán el coste por bit. Al final lo que hacen las compañías de memoria flash es crear procesos litográficos y de fabricación que les permitan mejorar esa densidad, ya sea reduciendo el tamaño de los transistores y otros componentes como reubicándolos.
En este caso el nuevo proceso para crear NAND 3D de 162 capas incluye tecnología que permite mover los circuitos periféricos bajo las celdas (PUC, peripheral circuits under cell). También modifican el escalonamiento de las capas de memoria yendo más allá de matrices de ocho agujeros, y tienen un modo de operación de cuatro planos. Un plano es una agrupación de bits, que está a su vez dividida en bloques y páginas. Cuantos más planos, más paralelismo de lectura/escritura hay en el chip, y por tanto se aumenta el rendimiento.
Con los cambios introducidos aseguran desde ambas compañías que mejora un 10 % la densidad de las celdas de los laterales de las capas, y reduce un 40 % el tamaño de los chips respecto a los de la generación anterior (la quinta) de 112 capas. También hablan de una mejora del 140 % en el rendimiento de programación de las celdas, del 10 % en la latencia, y un 66 % del rendimiento de las operaciones de entrada/salida. Con todo ello se consigue fabricar un 70 % más de bits por oblea respecto a la de 112 capas.
Vía: TechPowerUp.
