SK Hynix es de las principales productoras de memoria de todo tipo, DRAM y NAND 3D principalmente, y ha celebrado una charla del IEEE en el que ha dado un repaso al futuro de su negocio. Es bastante interesante y dejo más abajo el vídeo de la presentación, pero entra en aspectos muy técnicos como buena conferencia del IEEE, la mayor asociación multinacional de electrónica. La idea detrás del vídeo es que hay muchos problemas que resolver para producir chips de DRAM y NAND 3D en litografías cada vez de menor tamaño, pero se irán resolviendo.
Esos problemas tienen que ver con cuestiones como la forma de mantener la carga en los condensadores de la memoria DRAM o mantener las propiedades dieléctricas necesarias para hacer lo mismo en la NAND 3D, entre otros. Que SK Hynix y las demás compañías estén en procesos por encima de los 10 nm no es por gusto sino porque se precisa de procesador maduros y fiables, y los de luz ultravioleta extrema más avanzados distan mucho de serlo para crear memoria.
Eso sí, en el momento en que se resuelvan esos problemas —y están en ello— no habrá problemas en crear chips de NAND 3D de 600 capas usando luz UVE frente a las menos de 200 capas actuales. Para ello también tendrá que utilizar otros materiales dieléctricos y reducir el tamaño de las celdas, pero está bastante confiado en que podrá conseguirlo.
Sobre la DRAM, la compañía está centrada en la DDR5, pero también en el procesamiento en memoria que combina memoria y un procesador en un mismo chip de HBM. Es un terreno en el que Samsung también ha hecho algún anuncio reciente por lo que es hacia donde se dirige el sector para aprovechand el alto ancho de banda que tiene y ponerlo en uso en el tipo HBM-PIM (memoria de alto ancho de banda con procesamiento en memoria). Es para cómputo, por lo que no afectará al consumidor. De hecho la compañía lo llama computación en memoria (CIM).
Vía: Tom's Hardware.
