TSMC es la mayor productora de chips para terceros aunque mantiene el pulso con Samsung en el terreno de las litografías; probablemente también con Intel en breve cuando despierte totalmente de su letargo y vuelva a ser competencia en este sector. Pero el proceso de 3 nm que está desarrollando la compañía mantendrá la estructura de transistores en la actual FinFET por lo que está buscando formas de mejorar el proceso litográfico. Según Citigroup, el mayor cambio llegaría en la segunda generación del proceso de 3 nm con una reducción de las capas de las mediante las que se crean las obleas.
Esa reducción por capa sería de en torno al 20 % lo cual daría a TSMC una reducción de costes de fabricación aunque fuera aplicable solo a las capas creadas con luz ultravioleta extrema y no con ultravioleta profunda. Aparentemente no tendría un efecto en la potencia de los chips extraídos de las obleas, pero beneficiaría una reducción de gastos de la compañía. Es posible que no afectara a sus clientes porque los costes de materias primas están aumentando sin cesar, pero al menos es posible que mitigara un posible aumento adicional a sus clientes en el coste de producción de las obleas a 3 nm.
Vía: WCCFTech.
