TSMC ha aplazado un par de años más el inevitable paso a los transistores de efecto de campo de puerta amplia (GAAFET) que permitirá apilar los transistores para hacer los chips más eficientes. Su proceso de 3 nm —llama a este nodo «N3»— se mantiene con los FinFET y llegará en productos este mismo año, aunque de manera limitada. Mayormente, al próximo iPhone de Apple. El siguiente nodo litográfico en la lista de lanzamiento es el N3E en el cual TSMC estaría obteniendo ya una alta productividad.
Los chips que usen esta litografía empezarían a llegar en el segundo trimestre de 2023, igualmente de manera limitada. Sería un trimestre antes de lo esperado debido a la buena marcha en el desarrollo de este proceso litográfico, el cual se centraría en aumentar el número de capas que usan luz ultravioleta extrema en lugar de tener que recurrir a patrones múltiples con luz ultravioleta profunda —una capa se compone en realidad de varias capas, cada una con trozos del patrón del circuito que se quiere transferir a la oblea—.
Este cambio permitiría aumentar la densidad de transistores en torno a un 8 % y reduciría el tiempo de producción, lo cual supondría ventajas de coste para los clientes de la compañía al poderse extraer más chips por oblea. La producción inicial en el N3 será de diez a veinte mil obleas iniciadas mensualmente, a la que se unirá en breve otras quince mil mensuales de otra línea de producción. El nodo N3E empezaría con una capacidad de 25 000 a 50 000 obleas iniciadas mensualmente.
