La próxima generación de tarjetas gráficas va a tener un problema de ancho de banda de memoria, y los modelos más potentes van a necesitar la memoria de mayor velocidad que esté disponible. Esa va a ser por el momento la de Samsung, con la compañía anunciado el desarrollo de chips de GDDR6 que funcionan a 24 GHz, un 15 % por encima de los 21 GHz a la que funciona la memoria de la RTX 3090 Ti. Eso no será suficiente por sí solo para las futuras «RTX 4090» y «RX 7900 XT», pero es un comienzo.
Estos chips están fabricados con un proceso litográfico de 1z nm con luz ultravioleta extrema. La nomenclatura de «1z nm» se refiere a un proceso equivalente a 12-14 nm, pero los chips de memoria están principalmente compuestos por condensadores aunque también tengan transistores, que es por lo que no tienen una fácil correlación con los procesos litográficos para procesadores. Es un proceso que recurre a puertas metálicas de alta K [constante dieléctrica], o HKMG, para minimizar la corriente de fuga.
Tendrá opciones de bajo consumo para portátiles con un sistema de cambio dinámico de voltaje. Serán versiones de 16 GHz y 20 GHz con una eficiencia energética mejorada del 20 % a 1.1 V en lugar de funcionar a 1.35 V. La compañía no ha indicado en qué capacidades venderá este tipo de memoria, pero siendo un proceso litográfico avanzado no debería de haber problema en crear chips de 2 GB. Lo que sí ha indicado es que ha empezado a ser probada por sus clientes, por lo que la producción en masa podría empezar en unas semanas.
Vía: Samsung.
