Los que se pensaran que la memoria DDR5 se iba a desarrollar superrápido pueden ir esperando sentados. A los fabricantes de chips de DRAM les ha costado aumentar significativamente la producción, lo cual significa que las frecuencias máximas no son demasiado altas para lo que se debería poder conseguir con la DDR5. Lo máximo que se ha visto en el mercado son los 6600 MHz si bien , con un puñado de módulos. Por eso no debería de extrañar los planes de Samsung para la DRAM, aunque siempre están sujetos a cambios.
Ahora mismo todo lo que esté por encima de los 5200 MHz funciona a más de los 1.1 V del estándar JEDEC y está sujeto a no funciona bien dependiendo de qué placa base y qué fabricante. Empezando por lo último del titular, Samung cree que la memoria DDR5 a 7200 MHz y 1.1 V estará disponible en el mercado en 2025. Eso es dentro de tres años, que sería cuando podría ser viable superar las velocidades de 10 GHz con unos voltajes que no sean disparatados. O sea, sobre los 1.35 o 1.4 voltios.
Este año deberían de llegar los primeros módulos de 6800 a 7000 megahercios, aunque con cuentagotas. De momento hay compañías que han avanzado su producción para finales de año, como G.Skill y Corsair.
Por otro lado, la reducción de las litografías para fabricar los chips de DRAM junto con mejoras en el encapsulado posibilitarán a Samsung la producción de módulos de DDR5 con una capacidad de 1 TB tan pronto como 2024. Usará chips de DDR5 de 32 Gb de capacidad (4 GB), los cuales se encapsularán con hasta otros ocho para crear chips de DRAM de 32 GB. Pon treintaidós de estos chips en un módulo de RAM y te da la capacidad total de 1 TB por módulo. Ideal para centros de datos.
Aunque los módulos de 1 TB lleguen en 2024, habrá dispositivos con estos chips a finales de 2023. Más adelante, y de acuerdo con la especificación de la JEDEC, se podrán crear pastillas de 64 Gb (8 GB) a encapsular con otros ocho para crear chips de 64 GB, alcanzándose en el futuro módulos de memoria DDR5 de 2 TB.
Samsung ha indicado que ha comenzado el desarrollo de estos chips de DDDR5 de 32 Gb en un proceso litográfico equivalente por debajo de los 14 nm que se usaría en chips lógicos. Los chips de memoria tienen mayormente condensadores pero también algunos transistores con otras estructuras, por lo que la analogía es para permitir comparaciones entre procesos litográficos de chips lógicos y de memoria.
Vía: Tom's Hardware.
