SK Hynix ha anunciado la aplicación de sus técnicas de fabricación basadas en puertas metálicas de alta constante dieléctrica (HKMG) para producir memoria LPDDR5X de alta velocidad. Estas técnicas ya las aplicó para empezar a producir el año pasado su memoria LPDDR4X con un proceso litográfico de 1a nm. Los procesos de memoria no son los mismos que los que se usan en los chips lógicos, pero 1a nm vendría a ser en torno a los 10-12 nm.
La tecnología de HKMG se usa para los transistores de los chips de memoria, la cual reemplaza el material con el que se crea la puerta de los transistores por una fina película de alta K (constante dieléctrica). Esto permite mejorar las frecuencias máximas de los chips de memoria, que SK Hynix usa para llevar esta memoria LPDDR5X hasta los 8.5 Gb/s, a la vez que tienen un voltaje de solo 1.01 voltios. Supone un aumento del 33 % de las frecuencias frente a la generación anterior.
Fuente: SK Hynix. Vía: TechPowerUp.
