Los procesos litográficos avanzados están teniendo que crear nuevas estructuras con las que conformar los transistores de los chips y por eso actualmente se está haciendo la transición a los GAAFET o transistores de efecto de campo de puerta envolvente. Para poder seguir reduciendo el tamaño de las litografías, las compañías están explorando otras opciones como los CFET (transistor de efecto de campo complementario) como ya indicó ASML hace más de año y medio. La neerlandesa es una parte fundamental en todo este proceso como la productora de la maquinaria litográfica más avanzada del mundo.
Por otra parte, la principal fundición de chips, TSMC, ha hablado sobre estos CFET para indicar cómo están evolucionando los transistores para poder mantener el ritmo de innovación y la reducción de su tamaño. Su llegada no se espera hasta que se rompa al menos ampliamente la barrera de los 1.5 nm, aunque teniendo en cuenta que TSMC no introducirá los GAAFET hasta sus 2 nm, eso significa que no habrá CFET en los chips producidos por TSMC hasta bastante más allá del nanómetro. Por tanto, está a varias generaciones de poder producir chips con CFET, y antes tienen que llegar los FFET (FET de láminas divididas), una evolución de los GAAFET en la que las uniones P y N de los transistores estarán separadas por un muro dieléctrico.
Los CFET se basan en «doblar» el nFET sobre el pFET, ganando espacio, en lugar de tener las uniones PN separadas en horizontal. Por tanto, la reducción de espacio provendrá de una compactación de los transistores y no de una reducción de los terminales de los que se componen los transistores de efecto de campo. TSMC ha indicado que este tipo de CFET ya los tiene creados en el laboratorio, pero de ello a llevarlos a producción van a pasar bastantes años.
Para la producción de estos transistores se espera que se necesite una segunda o tercera generación de la maquinaria de luz ultravioleta extrema de alta apertura numérica que esté pendiente de entrar en uso en las fábricas de TSMC, Intel y Samsung. La producción con maquinaria de alta AN no ocurrirá hasta al 2025 si todo va bien. Siendo optimistas, los CFET no llegarán hasta bien entrados en la década de los 2030.
Vía: AnandTech.
