SK Hynix sigue evolucionando su memoria NAND 4D, que es como llama a la memoria NAND 3D que produce por mover los circuitos periféricos debajo de los chips de memoria. Eso es algo que hacen todos los fabricantes ahora mismo, pero no por ello han pasado a llamarla todos NAND 4D. Sea como sea, ahora la compañía ha anunciado el desarrollo de chips de memoria NAND 3D que incluyen 321 capas de memoria para una capacidad total por chip de 1 Tb (128 GB), que es la más avanzada por ahora presentada.
Estos chips de memoria son de tipo TLC, aportando un 34 % más de densidad de bits, lo que se traduce en más bits producidos por oblea, que es como lo suelen medir en el sector. Estos chips de memoria NAND 3D serán usados en unidades de estado sólido de tipo PCIe 5.0 así como en la memoria UFS 4.0 para dispositivos móviles de gama alta.
Esta memoria se ha presentado en el Flash Memoria Summit que se está desarrollando en Santa Clara (California) entre del 8 al 10 de agosto de 2023. Ahí ha indicado que la producción en masa no empezará hasta la primera mitad de 2025.
Vía: WCCCFTech.
