China está desarrollando a marchas forzadas nuevas tecnologías de producción de chips para no necesitar la maquinaria occidental o aquellas que usan tecnología estadounidense. Eso ha llevado a SMIC, la principal fundición china de chips, a poner el foco en la técnica de producción de patrones múltiples que ha sido desechada por TSMC o Samsung en el paso a la luz ultravioleta extrema. Pero SMIC, junto a Huawei, han usado esta técnica para producir chips a 5 nm, y la va a seguir usando para los 3 nm según una patente.
La patente es de la empresa estatal china SiCarrier, que a la postre trabaja para Huawei, otra compañía con estrechos lazos con el Gobierno chino, en maquinaria de producción litográfica. Se centra en una técnica llamada patrones cuádruples autoalineados (SAQP) y que ha estado en uso por la industria desde hace muchos años. Lo de patrones cuádruples significa que ciertas capas de las decenas que componen la producción de una oblea se divide en cuatro patrones distintos que se exponen sobre la oblea en fases distintas.
El problema de los patrones múltiples, que es como se llama la técnica general descrita antes, es que se añaden pasos y eso significa que hay más posibilidades de introducir defectos durante la producción de una oblea. La ventaja es que reduce los costes porque no necesita smaquinaria más compleja, pero otra desventaja es que la producción de la oblea lleva más tiempo, lo cual supone un aumento de coste. Si se combina con los defectos, es posible que producir de esta forma sea más cara. Intel intentó el método SAQP en su intento inicial de producir a 10 nm y le salió mal, con solo un chip producido Cannon Lake de doble núcleo.
Fuente: Google Patents. Vía: Tom's Hardware.