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La memoria de alto ancho de banda —HBM, por sus siglas en inglés— no ha tenido tanto uso como AMD pensó que tendría cuando empezó a colaborar con Samsung y SK Hynix en su desarrollo. Solo un puñado de dispositivos la usan, como las tarjetas gráficas con unidad gráfica de arquitectura Vega o los procesadores Kaby Lake G de Intel. En parte porque la GDDR ha seguido evolucionando y la GDDR6 tiene ventajas de coste respecto a ella. Aun así, la Asociación JEDEC de Tecnología de Estado Sólido ha realizado una revisión del estándar para mejorarlo de cara a los fabricantes.

El JEDEC, la organización dedicada a crear estándares relacionados con todo tipo de memoria, ha publicado la versión 3.0 (JESD223) del almacenamiento flash universal (UFS). Este tipo de memoria flash es incluido en los teléfonos de gama alta, y es considerado ultrarrápido respecto a las velocidades obtenidas por la memoria eMMC (tarjeta multimedia embebida) de los teléfonos de gama media y baja. Esta especificación permitirá velocidades de transferencia de hasta 23.2 Gb/s (2.9 GB/s).