Samsung fue el primer fabricante en incluir almacenamiento de tipo UFS en sus teléfonos, y gracias a ello el Galaxy S6, y ahora el Galaxy S7, cuentan con altas velocidades de transferencia de archivos. Pero no contentos con proporcionar hasta 128 GB de este tipo de almacenamiento a sus dispositivos, ahora ha anunciado la producción de memoria UFS 2.0 en un tamaño de 256 GB.
Actualmente, el estándar Universal Flash Storage (UFS) es un tipo de memoria embebida en el dispositivo y que alcanza velocidades de 315 MB/s en lectura secuencial y 19.000 IOPS (76 MB/s) de lectura aleatoria de archivos de 4 KB. Es por tanto un tipo de almacenamiento a mitad de camino entre la memoria Flash usada en la inmensa mayoría de teléfonos (eMMC), que es una variante de la usada en las tarjetas SD pero de tipo embebido (Embedded MultiMediaCard), lo que significa que en un único chip incluye tanto la memoria como el controlador de memoria.
En el caso de la memoria UFS 2.0 de 256 GB, la velocidad aumenta a 850 MB/s de lectura secuencial gracias a usar dos pistas de transferencia (es un punto nuevo que introducen con este modelo y que dota de mayor ancho de banda total) y 45.000 IOPS (operaciones de entrada/salida por segundo) de lectura de archivos 4 KB, mientras que la velocidad de escritura secuencial baja a los 260 MB/s.
La tecnología de fabricación de estos chips, para conseguir esos 256 GB en un espacio mínimo, se basa en la memoria V-NAND, o memoria 3D (apilan decenas de capas de memoria en un mismo chip, en vez de unas pocas como ocurre con la memoria NAND tradicional).
Vía: Samsung.
