Qualcomm y Samsung anunciaron la colaboración en el procesador Snapdragon 835, disponible en los teléfonos insignia de 2017, y se trata de un SoC que usará una litografía de fabricación de 10 nm. Samsung dispone de las fundiciones de chips más avanzadas, y siendo también uno de los principales clientes de Qualcomm, el beneficio es mutuo. No han dado muchos detalles del SoC, salvo que permitirá un 30 % más de aprovechamiento de la superficie del chip, con un 27 % más de rendimiento y un 40 % menos de consumo.
Una supuesta información del Snapdragon 835 apuntaría a que en esta ocasión Qualcomm lo convertiría en un chip de ocho núcleos de dos clústeres de cuatro cada uno, con una renovación de la arquitectura Kryo denominada Kryo 200. La GPU utilizada sería la Adreno 540, y usaría además memoria LPDDR4-1866 con la nueva gestión de almacenamiento ultrarrápido UFS 2.1 y módem LTE X16 capaz de alcanzar 1 Gbps de bajada.
La misma información también apunta a un Snapdragon 660 con ocho núcleos Kryo, con mismo UFS 2.1, módem LTE X10, Adreno 512 y estaría listo para la mitad del año.
Vía: WCCFTech.
