Samsung continúa demostrando lo avanzado que está en la producción de chips de todo tipo de memoria, y en este caso de la memoria flash NAND destinada a dispositivos móviles. La compañía ha anunciado el comienzo de la producción de paquetes de memoria ultrarrápida UFS destinada a almacenamiento de teléfonos de gama alta, que incluye 64 capas de memoria apilada siguiendo su método V-NAND de fabricación.
Este único chip de 512 GB de almacenamiento dobla la capacidad del mejor chip UFS anterior que era de 256 GB y 48 capas. Incluye un nuevo controlador eUFS propietario de Samsung que minimiza el aumento de consumo debido al aumento de capacidad, pero también la velocidad del chip al reducir el tiempo de traducción de las direcciones lógicas a las físicas.
Con esto, Samsung promete que este chip de 512 GB alcanza una velocidad de lectura secuencial de 860 MB/s y de escritura secuencial de 255 MB/s, mientras que la velocidad de lectura y escritura aleatoria de archivos pequeños es de 42 000 y 40 000 IOPS respectivamente. El chip utiliza dos pistas de conectividad dúplex HS-Gear3 con una tasa de transferencia de 5.8 GT/s cada una en un paquete de tamaño 11.5 × 13 mm, y se ajusta al estándar UFS 2.1.
El uso que se le puede dar a estos chips es para los próximos teléfonos y tabletas que Samsung pueda tener en preparación, aunque 512 GB en un teléfono es una cantidad desorbitada. Aunque, viendo el Galaxy S8, puede que en el Galaxy S9 la compañía coreana redoble esfuerzos de convertirlo en un PC de bolsillo y a ciertos usuarios no les vendrá mal.
Vía: AnandTech.
