Samsung es el principal fabricante de semiconductores del mundo, y su poderío de investigación y desarrollo le permite estar bastante por delante de su competencia en lo relacionado con sistemas de producción. Ahora ha anunciado el comienzo de la producción de los chips basados en su proceso de fabricación de segunda generación a 10 nm FinFET denominada 10LPP (low power plus).
Con este proceso de fabricación Samsung promete hatsa un 10 % más de rendimiento en los chips creados, así como un 15 % menos de consumo que la primera generación o 10 LPE (low power early). El proceso 10LPP se base totalmente en el 10LPE, por lo que sus socios no perderán casi tiempo al adaptar sus diseños de la primera generación a la segunda generación.
Tiene pinta de que es el proceso que va a utilizar Samsung para su próximo procesador Exynos, ya que los chips fabricados con «este proceso 10LPPP llegarán en dispositivos a primeros del próximo año, y estarán disponibles de manera generalizada a medida que avance el año».
En octubre, Samsung anunció el comienzo de la producción de los chips a 8 nm, tres meses antes de lo esperado, y con un proceso 8LPP. La fundición que producirá estos chips es la S3, ubicada en Hwaseong (Corea del Sur), que es la misma en la que se producirá en masa los chips con tecnología ultravioleta extrema.
