Samsung lleva desde el año pasado mostrando su nuevo tipo de chip de memoria orientado al almacenamiento y al que llama Z-NAND. Al igual que la memoria 3D XPoint de Intel y Micron, dispone de unas velocidades de funcionamiento superiores además tiempos de latencia inferiores. De acuerdo a un documento de Samsung, esta memoria también la va a orientar al sector profesional en sus primeros pasos.
La compañía indica que será altamente eficiente para sistemas de caché, bases de datos NoSQL, almacenamiento de datos y análisis de negocio. Los primeros SSD que está preparando tendrán una interfaz PCIe 3.0 x4 con una velocidad de lectura de hasta 3.2 GB/s con 750 000 IOPS. Aunque en este caso, dispone de unas latencias notablemente superiores a la memoria 3D XPoint de Intel, ya que la de lectura llega hasta los 20 μs y la de escritura es un 60 % superior. Son mejores en general que la memoria NAND ya que se sitúan entre los 100 a 150 μs, y probablemente compita más bien en precio con la 3D XPoint.
| Tecno. | Capacidad | IOPS L/E | Ancho de banda de L/E | Durabilidad | Latencia L/E | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Optane P4800X | 3D XPoint | 750 GB | 550 K | 2.4/2.0 GB/s | 41 PBW | 10/10 μs |
| SZ985 | SLC NAND | 800 GB | 750 K/170 K | 3.2/3.2 GB/s | 42.7 PBW | 12-20/16 μs |
Vía: TechPowerUp.
