La memoria DDR4 ya lleva unos años en el mercado, y por eso la llegada de su evolución se hace inminente. Tan inminente que Samsung ya la ha desarrollado con éxito, aunque de momento en su versión de menor consumo para dispositivos móviles, LPDDR5. Son chips con una capacidad de 8 Gb (1 GB), fabricados con un proceso litográfico de 10 nm.
La velocidad de estos chips es de hasta 6400 Mb/s por patilla, que es un 50 % más de los 4.26 Gb/s de la memoria LPPDR4 y LPDDR4X, funcionando a 1.1 V. También estarán disponibles con una velocidad de hasta 5500 Mb/s con un voltajes de 1.05 V. Dispone de un canal de memoria de 32 bits. Se consigue, según Samsung, doblando el número de bancos o subdivisiones en una celda de DRAM, pasando de ocho a dieciséis, manteniendo en el proceso un consumo inferior.
LPDDR5 implementa un modo de reposo que reduce a la mitad el consumo con respecto al modo inactivo de la LPDDR4X, y evita reescribir las celdas que ya estén a valor cero. Unido al proceso de 10 nm, la reducción total de consumo respecto a la generación anterior se sitúa sobre el 30 %.
El JEDEC todavía no ha aprobado el estándar LPDDR5, por lo que Samsung está funcionando con cabeza de playa con este chip en el terreno de la DRAM DDR5. En un chip normal con un bus de 32 bits, la velocidad máxima que llegaría es de 25.6 GB/s de transferencia, los 50.2 GB/s si se utilizara un bus de memoria de 64 bits, o los 100.4 GB/s en un bus normal de 128 bits de, por ejemplo, un PC portátil donde la memoria LPDDR se ha usado bastante.
