Samsung sigue demostrando que en lo referente a tecnologías de producción de chips es la principal empresa del mundo, con TSMC quedándose en un muy cercano segundo lugar. La compañía coreana ha anunciado el inicio de la producción de chips a 7 nm de segunda generación, que en este caso pasa a utilizar luz ultravioleta extrema (UVE) para la creación de las obleas de las que se extraen los chips.
El proceso de fabricación utiliza luz con una longitud de onda de 13.5 nm frente a la luz de fluoruro de argón con una longitud de onda de 193 nm usada en los procesos de patrones múltiples empleada en la producción de los chips a 7 nm de primera generación. También tiene la ventaja de que se puede utiliza solo una máscara para crear una de las capas de las que se compone el proceso de fabricación de las obleas, frente a las cuatro máscaras necesarias con el proceso actual de patrones múltiples. Cada máscara supone un coste de desarrollo y producción adicional, si bien se ha contrarrestado, y con creces, con lo costoso del equipamiento de producir a 7 nm.
Samsung habla de que con el proceso a 7 nm LPP (low power plus) frente al de 10 nm FinFET, se puede obtener hasta un 40 % de reducción de área, hasta un 20 % más de rendimiento, o hasta un 50 % menos de consumo. El equilibrio de estos tres parámetros dependerá de la orientación del chip a producir. La producción se lleva a cabo en la Fab 3 de Hwaseong (Corea del Sur), y puede procesar hasta 1500 obleas al día en los escáneres NXE:3400B EUVL fabricados por la neerlandesa ASML. Estos equipos se usarán para seguir la hoja de ruta creada por Samsung Foundries para alcanzar la creación de chips a 3 nm dentro de unos años.
