Samsung inició la era de las memorias NAND 3D hace unos años y sigue estando por delante del resto de las compañías en este terreno. Lo demuestra el anuncio de las primeras memorias V-NAND, su forma de llamar a la NAND 3D, que se componen de 136 capas de tipo TLC (tres bits por celda) y de 256 Gb (32 GB) de capacidad, que se acaban de poner en uso para la fabricación de unidades de estado sólido (SSD).
La SSD que está produciendo la compañía tiene una capacidad de 256 GB y de momento no ha dado más detalles de ella, aunque debería darlos en breve. Es más bien un toque de atención a las empresas que van a participar en la Convención de Memoria Flash (Flash Memory Summit) que se celebra estos días en el Centro de Convenciones de Santa Clara, situada en California (EE. UU).
Esta memoria V-NAND de sexta generación aporta un 40 % más de capacidad con respecto a las estructura de 96 capas de la generación anterior, y aunque no lo digan supone una reducción de costes de producción como es habitual al aumentar las capas de cada chip. Habla de una mejora adicional de la productividad del 20 % debido a la reducción de los nanoagujeros hechos para comunicar las capas de 930 millones a 670 millones, reduciendo la complejidad de fabricación.
La compañía ha mejorado en estas memorias NAND 3D la velocidad de transferencia al modificar ligeramente la comunicación intercapa con un circuito de comunicación optimizado para evitar el aumento de errores y latencias de lectura al aumentar el número de capas. Esto lleva la velocidad de transferencia por debajo de los 450 μs para escritura y 45 μs para lectura. Samsung habla de una mejora de la velocidad de un 10 % a la vez que se reduce el consumo un 15 %.
Con este avanza Samsung ya vaticina que la séptima generación superará las 300 capas ya que le permitirá apilar tres de estos módulos sin detrimento del rendimiento o fiabilidad de la memoria V-NAND.
Vía: Guru3D.
