Aunque la fundición de mayor éxito ahora mismo sea la taiwanesa TSMC, la coreana Samsung Foundry es la que más avanzada está en procesos litográficos, y lo ha demostrado con un anuncio sobre su proceso de 3 nm. Samsung ha conseguido crear el primer prototipo de semiconductor a ese nivel, con lo que está en posición de mantener su dominio en el sector.
De momento las miradas están puestas en que TSMC y Samsung produzcan a 5 nm este año, por lo que la producción en masa a 3 nm no llegaría hasta 2022, aunque a finales de 2021 podría haber una producción de prueba. Como siempre ocurre con estos procesos litográficos avanzados, las primeras obleas llegan con un bajo rendimiento de producción, o chips viables extraídos de cada una de ellas, y posteriormente se va refinando hasta alcanzar un alto rendimiento, abaratando en la práctica los costes a sus clientes.
El proceso de 3 nm de Samsung estará basado en los GAAFET (transistor de efecto de campo de puerta amplia, gate all-around field-effect transistor), en el que se cambia la construcción 3D de los FinFET (transistor de aleta de efecto de campo) en los que hay una aleta incrustada en la puerta del transistor y se pasa a un diseño en el que hay nanotubos o nanoplanchas para permitir el apilamiento de los transistores. En la práctica aporta ventajas adicionales de consumo y espacio ocupado por los chips frente a los FinFET.
Vía: Tom's Hardware.
