Los fabricantes de chips de memoria van con otros ritmos en el terreno de las litografías ya que están adaptadas a las necesidades específicas de cada compañía. Hace unos meses que Micron empezó la producción en masa de DRAM en su nodo de 1α nm mientras que SK Hynix ha sido ahora cuando ha anunciado que ha hecho lo propio. Estos chips son de DRAM de bajo consumo orientado a móviles, siendo LPDDR4.
Esta litografía 1α nm sigue las tres anteriores que se sitúan en los 10 a 19 nm, si bien las particularidades de estos procesos hacen que las compañías prefieran nombrarlas de una forma distinta. Tampoco hay una correlación entre los nanómetros referidos y el tamaño de las células de memoria u otras estructuras que incluyen, por lo que al final lo único que quieren expresar con ello es que hay avances de litografía.
Las anteriores generaciones fueron las 1x nm, 1y nm y 1z nm, y esta aporta ante todo una reducción del área de los chips, pudiéndose extraer un 25 % más de chips por oblea respecto al proceso anterior 1z nm y hace uso de luz ultravioleta extrema en el proceso de fabricación. Los chips funcionan a 4266 MHz y también ven reducido su consumo un 20 %. La compañía usará este mismo proceso para la fabricación de su memoria DDR5, la cual empezó el año pasado para el sector de los teléfonos inteligentes.
Vía: TechPowerUp.
