El sector de los semiconductores está en buscar formas de reducir el tamaño de los transistores aunque para evitar ciertos problemas físicos de su reducción deban cambiar el tipo de transistor. En ello tiene mucho que ver la maquinaria usada y de lo cual ha hablado la neerlandesa ASML. Por eso el hecho de que Samsung diga que sigue su itinerario de desarrollo sin sobresaltos significa que reitera su compromiso con producir a 2 nm para 2025.
Antes de eso, la compañía ha reiterado en el Samsung Foundry Summit que en 2022 iniciará la producción en masa de obleas utilizando su proceso de 3 nm. Más bien hacia final de año, no antes, por lo que incluso si empieza a producirlo en diciembre podrían sonar fanfarrias por haber cumplido su promesa. Este proceso será el primero en usar el nuevo tipo de transistor llamado transistor de efecto de campo de puerta amplia (GAAFET), que es un paso indispensable para asentar siguientes reducciones de tamaño. Este proceso lo llama 3GAE (3 nm GAAFET temprano).
El siguiente paso sería, antes de finalizar 2023, la introducción del proceso de 3GAP (3 nm GAAFET mejorado). El siguiente paso sería, para 2025, el 2GAP (2 nm GAAFET mejorado), lo cual da la idea de que los 2 nm será una iteración más del proceso de 3 nm con mejoras de lo habitual (área, rendimiento, consumo). Teniendo en cuenta que desde el inicio de la producción en masa hasta que los primeros chips llegan en algún producto pueden pasar varios meses, en todos los casos anteriores no llegarán hasta el año siguiente del indicado (2023, 2024 y 2026).
