Samsung sigue desarrollando su litografía puntera para aumentar su productividad y adaptarla a las necesidades de sus clientes. Eso llevaría a que el proceso litográfico SF3 de segunda genreación estaría listo en la segunda mitad del año. El año pasado, Samsung reveló sus planes de comenzar la producción masiva bajo su proceso SF3 y su proceso de 4 nm de cuarta generación para HPC en la segunda mitad de 2024, con el objetivo de superar una productividad del 60 % por oblea.
En 2022, Samsung inició la producción masiva de su tecnología de fabricación temprana de 3nm basada en los GAAFET, o SF3E, con nanoláminas para uno de los canales del transistor que mejora la potencia, rendimiento y reduce el área de los chips al estar apiladas. Esta segunda generación aportará un rendimiento un 22 % superior con el mismo recuento de transistores y frecuencia de reloj, o hasta un 34 % más eficiente a misma potencia. El área de las zonas lógicas de los chips se reduciría hasta un 21 % frente al proceso litográfico de 4 nm de Samsung.
Este proceso se utilizaría para fabricar el Exynos 2500 para sus futuros Galaxy S25, y un mejorado Galaxy S, con mejoras en la autonomía. Podría estar compuesto por diez núcleos, con una configuración de cuatro clústeres basados en los Cortex de Arm de diferentes similar a la actual del 2400. En el apartado de la GPU, es donde se espera un mayor salto, ya que podría incluir una Xclipse 950 basada en la arquitectura RDNA3 de AMD, y no faltaría una nueva NPU, que unido al nodo SF3, supondrán un importante salto de prestaciones.
Vía: Techspot.
