Samsung Foundry ha sido la primera compañía en utilizar los transistores de efecto de campo de puerta envolvente (GAAFET) en uno de sus nodos litográficos, lo cual le ha permitido acercarse a las características de los nodos más avanzados de TSMC. Pero la compañía va a seguir evolucionando estos transistores, y aparentemente seguirá usando los GAAFET en su nodo litográfico de 1.4 nm, aunque con un cambio bastante importante como es el número de nanoláminas apiladas.
Samsung llama a estos transistores MSBCFET, y en lugar de usar nanotubos apilados para hacer de dos de los terminales de un transistor, la compañía usa nanoláminas, lo cual permite regular el voltaje de los transistores de manera más precisa modificando su tamaño. El principal cambio que introducirá Samsung en esta litografía de 1.4 nm será que las nanoláminas apiladas pasarán de tres a cuatro.
Esto llevará a poder mejorar la corriente de control de los transistores, lo cual redundará en permitir unas mayores frecuencias de funcionamiento y por tanto en un mayor rendimiento de los chips. Este cambio también permite reducir la corriente de fuga de los transistores, reduciendo el consumo. De momento Samsung no ha dado cifras de cuál será la ganancia de rendimiento, consumo y reducción de tamaño de su proceso de 1.4 nm, y tampoco es que haya hablado mucho del de 2 nm que debería llegar en 2025. Este proceso de 1.4 nm debería llegar en 2027.
Vía: Tom's Hardware.
